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专利名称：一种不改变去合金拓扑结构的去合金杆直径调控方法
发明人：宁哲达 钟豪章 顾剑锋
专利号：CN202411084465.X
公告日：2024-11-19
摘要：本发明公开了一种不改变去合金拓扑结构的去合金杆直径调控方法，包括：采用激光粉床熔融技术对Ti、Fe和Cu金属混合粉末进行打印，制得TiFeCu前驱体，将其进行线切割后放入真空管式炉中进行液态金属去合金，熔池金属为Mg，去合金温度为800～850℃，时间为20～60min，得到含有去合金拓扑结构的LMD多孔材料，放入硝酸溶液中浸泡以去除其上凝固的Mg。本发明针对化学去合金方法中拓扑结构杆径在后续热处理后容易被破坏的问题，采用LMD技术，在保证完整拓扑结构的前提下通过调整LMD过程的去合金温度和时间，得到高温稳定的TiFeCu去合金拓扑结构杆径，实现不改变去合金拓扑结构的去合金杆直径调控。
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